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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJF0605JPD-00-J3
Renesas Electronics Corporation
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1 | POWER, FET | RJF0605JPD-00-J3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJE0620JPD-00-J3
Renesas Electronics Corporation
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1 | POWER, FET | RJE0620JPD-00-J3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK1206JPD-00#J3
Renesas Electronics Corporation
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1 | RJK1206JPD-00#J3 | RJK1206JPD-00#J3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJF0611JPD-00-J3
Renesas Electronics Corporation
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1 | POWER, FET | RJF0611JPD-00-J3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJF0604JPD-00-J3
Renesas Electronics Corporation
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1 | POWER, FET | RJF0604JPD-00-J3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK0632JPD-00-J3
Renesas Electronics Corporation
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1 | POWER, FET | RJK0632JPD-00-J3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK0636JPD-00-J3
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK0636JPD-00-J3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK0631JPD-00-J0
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK0631JPD-00-J0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK0631JPD-00#J3
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK0631JPD-00#J3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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V8D1DCN1-JPD00-000
Carling Technologies
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1 | Rocker Switch, SPDT, (on)-off-(on), Momentary, 20A, 12VDC, Quick Connect Terminal, Rocker Actuator, Panel Mount | V8D1DCN1-JPD00-000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJF0411JPD-00-J3
Renesas Electronics Corporation
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1 | POWER, FET | RJF0411JPD-00-J3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK1206JPD-00-J3
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK1206JPD-00-J3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJE0609JPD-00-J3
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.17ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RJE0609JPD-00-J3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJE0605JPD-00-J3
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RJE0605JPD-00-J3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJF0408JPD-00-J3
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | RJF0408JPD-00-J3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK0323JPD-00-J3
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK0323JPD-00-J3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJE0605JPD-00#J3
Renesas Electronics
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0 | This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. . | RJE0605JPD-00#J3 |
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