Showing 25 of 121 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MFT10N12T2522S
MERITEK Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor | MFT10N12T2522S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MFT10N19TS8S
MERITEK Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.0124ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | MFT10N19TS8S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MFT102N34D56A
MERITEK Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.021ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | MFT102N34D56A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MFT10N170T247S
MERITEK Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor | MFT10N170T247S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MFT10NP2A1TS8S
MERITEK Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 100V, 0.34ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | MFT10NP2A1TS8S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MFT10NA2S23SSE
MERITEK Electronics Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor | MFT10NA2S23SSE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MFT102N7A8P33S
MERITEK Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor | MFT102N7A8P33S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MFT10N54P56S
MERITEK Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor | MFT10N54P56S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MFT10P15D33
MERITEK Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 100V, 0.105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | MFT10P15D33 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MFT10N53T252
MERITEK Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 100V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | MFT10N53T252 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MFT100N4T220
MERITEK Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | MFT100N4T220 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MFT10N160T220S
MERITEK Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 100V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | MFT10N160T220S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MFT10N15TS8S
MERITEK Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | MFT10N15TS8S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MFT10N2S23SS
MERITEK Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor | MFT10N2S23SS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MFT10P10T220S
MERITEK Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | MFT10P10T220S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MFT102N5A1P33S
MERITEK Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor | MFT102N5A1P33S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MFT10N75T22FS
MERITEK Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | MFT10N75T22FS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MFT10N48T252S
MERITEK Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor | MFT10N48T252S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MFT100N4T22FS
MERITEK Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | MFT100N4T22FS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MFT100N4T263
MERITEK Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | MFT100N4T263 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MFT10N85T263
MERITEK Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | MFT10N85T263 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MFT10P150T3P
MERITEK Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 100V, 0.00078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | MFT10P150T3P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
ASC0402-10MFT10
TT Electronics Resistors
|
1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 10000000ohm, 50V, 1% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 0402, CHIP | ASC0402-10MFT10 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MMFT107
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | MMFT107 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
EC2SMF-T-10-29.999MTR
Ecliptek Corporation
|
1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 29.999MHz Nom | EC2SMF-T-10-29.999MTR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||