Showing 25 of 120 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE6500278
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | NE6500278 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE650R479A-T1
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NE650R479A-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE6500379A-T1
California Eastern Laboratories (CEL)
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NE6500379A-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE6500278-E3
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NE6500278-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE650103M-A
NEC Electronics Group
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE650103M-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE650R279A-A
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NE650R279A-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE650103M
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NE650103M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE6500179A-T1
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, N-Channel, Junction FET | NE6500179A-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE650R479A-A
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NE650R479A-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE650103M-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE650103M-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE6500179A-T1
NEC Electronics Group
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NE6500179A-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE650103M
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NE650103M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE6501077-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NE6501077-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE6500179A
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NE6500179A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE6500379A-A
NEC Electronics Group
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NE6500379A-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE650R279A-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NE650R279A-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE650NSIIA
Philips Semiconductors
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1 | Dolby Noise Reduction IC, B Type, PDIP16 | NE650NSIIA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE6500379A-T1
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NE6500379A-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE650R279A
NEC Electronics Group
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NE650R279A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE6500179A-T1-A
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NE6500179A-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE6500379A-A
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NE6500379A-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE6500379A-T1-A
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NE6500379A-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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T495B476M010ANE6507280
KEMET Corporation
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1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 47uF, Surface Mount, 1411 | T495B476M010ANE6507280 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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T495B336K010ANE650
KEMET Corporation
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1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 10V, 10% +Tol, 10% -Tol, 33uF, Surface Mount, 1411 | T495B336K010ANE650 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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T495B476M010ANE650
KEMET Corporation
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1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 47uF, Surface Mount, 1411 | T495B476M010ANE650 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||