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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HCHP2208100PPM751%GTR0131E4
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.75W, 75ohm, 200V, 1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 2208, | HCHP2208100PPM751%GTR0131E4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512AEBC256-12
Intel Corporation
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1 | EE PLD, 5.5ns, 512-Cell, CMOS, PBGA256 | EPM7512AEBC256-12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512BQC208-7N
Altera Corporation
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1 | EE PLD, 5.5ns, 512-Cell, CMOS, PQFP208 | EPM7512BQC208-7N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HCHP0603100PPM7.51%WTR0131E4
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.125W, 7.5ohm, 50V, 1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 0603, | HCHP0603100PPM7.51%WTR0131E4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512BQC208-6
Rochester Electronics LLC
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1 | EE PLD, 6 ns, PQFP208, PLASTIC, QFP-208 | EPM7512BQC208-6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512AEFI256-10N
Intel Corporation
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1 | EE PLD, 10ns, 512-Cell, CMOS, PBGA256 | EPM7512AEFI256-10N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512BBI256
Altera Corporation
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1 | EE PLD, CMOS, PBGA256 | EPM7512BBI256 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PPM75-10000.0RK
Leclanche Capacitors
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1 | CAPACITOR, METALLIZED FILM | PPM75-10000.0RK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512BTI100-5
Altera Corporation
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1 | EE PLD, 5.5ns, CMOS, PQFP100 | EPM7512BTI100-5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HCHP0603100PPM7.51%F0131E2
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.125W, 7.5ohm, 50V, 1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 0603, | HCHP0603100PPM7.51%F0131E2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512BUI169-5N
Altera Corporation
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1 | EE PLD, 5ns, 512-Cell, CMOS, PBGA169 | EPM7512BUI169-5N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512BUI169-10N
Intel Corporation
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1 | EE PLD, 10ns, 512-Cell, CMOS, PBGA169 | EPM7512BUI169-10N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512AEQC208-12
Altera Corporation
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1 | EE PLD, 12ns, 512-Cell, CMOS, PQFP208 | EPM7512AEQC208-12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HCHP1505100PPM7.51%FTR0131E2
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.5W, 7.5ohm, 200V, 1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 1505, | HCHP1505100PPM7.51%FTR0131E2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512AEBC256-10
Altera Corporation
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1 | EE PLD, 5.5ns, 512-Cell, CMOS, PBGA256 | EPM7512AEBC256-10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512BUI169-7
Altera Corporation
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1 | EE PLD, 7.5ns, 512-Cell, CMOS, PBGA169 | EPM7512BUI169-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APM7512NG-TRG
American Power Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | APM7512NG-TRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PM75-120K
JW Miller
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1 | General Purpose Inductor, 12uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD | PM75-120K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512BUC169-10N
Intel Corporation
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1 | EE PLD, 5.5ns, 512-Cell, CMOS, PBGA169 | EPM7512BUC169-10N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PM75-180M-RC
Bourns Inc
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1 | General Purpose Inductor, 18uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD | PM75-180M-RC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APM7512NGC-TRG
American Power Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor | APM7512NGC-TRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512AEFI256-7
Intel Corporation
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1 | EE PLD, 7.5ns, 512-Cell, CMOS, PBGA256 | EPM7512AEFI256-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PM75-150K
JW Miller
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1 | General Purpose Inductor, 15uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD | PM75-150K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512AETC144-7
Intel Corporation
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1 | EE PLD, 7.5ns, 512-Cell, CMOS, PQFP144 | EPM7512AETC144-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PM75-150M-RC
Bourns Inc
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1 | General Purpose Inductor, 15uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD | PM75-150M-RC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||