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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB201402FC-V1-R250
Wolfspeed
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | PTFB201402FC-V1-R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB201402FC-V1-R0
Cree, Inc.
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, | PTFB201402FC-V1-R0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB213208FVV2R2
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB213208FVV2R2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB213004FV2R0XTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB213004FV2R0XTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB213004F-V2-R0
Cree, Inc.
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, | PTFB213004F-V2-R0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB212503FL-V2-R250
Cree, Inc.
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, | PTFB212503FL-V2-R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB210801FAV1R0XTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB210801FAV1R0XTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB211503FLV2R250XTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB211503FLV2R250XTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB241402FV1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB241402FV1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB213208SVV2R250
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | PTFB213208SVV2R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB211501FV4R250
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB211501FV4R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB211803FL-180W
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | PTFB211803FL-180W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB211503FL-V2-R250
Cree, Inc.
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, | PTFB211503FL-V2-R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB213004FV2R0
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | PTFB213004FV2R0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB213004FV2R250
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB213004FV2R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB213208FV-320W
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | PTFB213208FV-320W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB241402FV1R250XTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB241402FV1R250XTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB213208FVV2R2XTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB213208FVV2R2XTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB211501FV1R0XTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | PTFB211501FV1R0XTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB211803FLV1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB211803FLV1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB211803FLV1R250
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB211803FLV1R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB211803FLV2
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB211803FLV2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB210801FAV1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB210801FAV1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB211501FV1XWSA1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB211501FV1XWSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB212503ELV1R0
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB212503ELV1R0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||