Showing 25 of 104 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HEX14CN-25.00000MHZ-16-40R-F-H3-T0-W3-B
Horizon Electronics Enterprises Group
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 25MHz Nom | HEX14CN-25.00000MHZ-16-40R-F-H3-T0-W3-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH3707TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0124ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH3707TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH3707TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0124ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH3707TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFH34009WG
TE Connectivity
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1 | Power/Signal Relay, 1 Form A, Momentary, 9VDC (Coil), 399mW (Coil), 16A (Contact), Panel Mount | RFH34009WG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFH30N12
Rochester Electronics LLC
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1 | 30A, 120V, 0.075ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218AC | RFH30N12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFH30N15
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFH30N15 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MBRFH30150CT
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB | MBRFH30150CT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH3707TRPBF-1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFH3707TRPBF-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HEX14AN-14.74560MHZ-30-40R-F-H3-T0-W3-B
Horizon Electronics Enterprises Group
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 14.7456MHz Nom | HEX14AN-14.74560MHZ-30-40R-F-H3-T0-W3-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFH30N15
Rochester Electronics LLC
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1 | 30A, 150V, 0.075ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218AC | RFH30N15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF-H(34)2TD-1190
JST Manufacturing
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1 | Board Connector, 34 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Solder Terminal | RF-H(34)2TD-1190 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFH35N08
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFH35N08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HEX14CN-4.19430MHZ-30-140R-F-H3-T0-W3-B
Horizon Electronics Enterprises Group
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 4.1943MHz Nom | HEX14CN-4.19430MHZ-30-140R-F-H3-T0-W3-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF-H(36)2TD-1190
JST Manufacturing
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1 | Board Connector, 36 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Solder Terminal | RF-H(36)2TD-1190 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HEX14BN-20.00000MHZ-12-40R-F-H3-T0-W3-B
Horizon Electronics Enterprises Group
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 20MHz Nom | HEX14BN-20.00000MHZ-12-40R-F-H3-T0-W3-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HEX14BN-25.00000MHZ-16-40R-F-H3-T0-W3-B
Horizon Electronics Enterprises Group
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 25MHz Nom | HEX14BN-25.00000MHZ-16-40R-F-H3-T0-W3-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFH30N12
General Electric Solid State
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1 | Transistor | RFH30N12 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFH35N08
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFH35N08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MBRFH30150CT
Surge Components Inc
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB | MBRFH30150CT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HEX14CN-16.00000MHZ-30-40R-F-H3-T0-W3-B
Horizon Electronics Enterprises Group
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 16MHz Nom | HEX14CN-16.00000MHZ-30-40R-F-H3-T0-W3-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMBRFH3065CT
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 65V V(RRM), Silicon, TO-220AB | SMBRFH3065CT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFH35N10
General Electric Solid State
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1 | Transistor | RFH35N10 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HEX14CN-20.00000MHZ-12-40R-F-H3-T0-W3-B
Horizon Electronics Enterprises Group
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 20MHz Nom | HEX14CN-20.00000MHZ-12-40R-F-H3-T0-W3-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFH35N08
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 80V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AC | RFH35N08 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF-H(32)2TD-1130
JST Manufacturing
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1 | Board Connector, 32 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Solder Terminal | RF-H(32)2TD-1130 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||