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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HFR-RFH52-C300OHMF001
TT Electronics Resistors
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1 | RF/Microwave Termination | HFR-RFH52-C300OHMF001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IM820E-2FRFH-50.0000MHZ
ILSI America LLC
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1 | LVCMOS Output Clock Oscillator, 50MHz Nom | IM820E-2FRFH-50.0000MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5206TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5206TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HFR-RFH52-C150OHMF001
TT Electronics Resistors
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1 | RF/Microwave Termination | HFR-RFH52-C150OHMF001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IM820E-3ERFH-50.0000MHZ
ILSI America LLC
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1 | LVCMOS Output Clock Oscillator, 50MHz Nom | IM820E-3ERFH-50.0000MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HFR-RFH52-C100OHMF001
TT Electronics Resistors
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1 | RF/Microwave Termination | HFR-RFH52-C100OHMF001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5301PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5301PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5302PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5302PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5020TR2PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5020TR2PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF-H(50)2TD-1130
JST Manufacturing
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1 | Board Connector, 50 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Solder Terminal | RF-H(50)2TD-1130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5104TR2PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5104TR2PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5053PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5053PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5204TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 40V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5204TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HFR-RFH52-C200OHMF002
TT Electronics Resistors
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1 | RF/Microwave Termination | HFR-RFH52-C200OHMF002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HFR-RFH52-C50OHMF003
TT Electronics Resistors
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1 | RF/Microwave Termination | HFR-RFH52-C50OHMF003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IM820C-7ERFH-50.0000MHZ
ILSI America LLC
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1 | LVCMOS Output Clock Oscillator, 50MHz Nom | IM820C-7ERFH-50.0000MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HFR-RFH52-C50OHMF002
TT Electronics Resistors
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1 | RF/Microwave Termination | HFR-RFH52-C50OHMF002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5206TR2PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5206TR2PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5215TR2PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 150V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5215TR2PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF-H(54)2TD-1130
JST Manufacturing
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1 | Board Connector, 54 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Solder Terminal | RF-H(54)2TD-1130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5306PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5306PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5210TR2PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.0149ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5210TR2PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5250DTRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 25V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5250DTRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5301TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5301TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFH5250DTR2PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 25V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFH5250DTR2PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||