Showing 25 of 121 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512
Texas Instruments
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1 | IRF512 | IRF512 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF512-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF512-010PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512-001
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF512-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF512-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512-013PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF512-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LRRF51-2B-K
Carling Technologies
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1 | ROCKER SWITCH, SPST, MOMENTARY, 10A, 14VDC, PANEL MOUNT | LRRF51-2B-K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LRRF51-2B-KN
Carling Technologies
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1 | Rocker Switch, SPST, Momentary, 10A, 14VDC, Solder Terminal, Rocker Actuator, Panel Mount | LRRF51-2B-KN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF512-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LRRF51-2B-JN
Carling Technologies
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1 | Rocker Switch, SPST, Momentary, 10A, 14VDC, Solder Terminal, Rocker Actuator, Panel Mount | LRRF51-2B-JN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF512 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF512 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512-003PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF512-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF512 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF512-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512-002
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF512-002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512-002PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF512-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRF512 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LRRF51-2B-1N
Carling Technologies
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1 | Rocker Switch, SPST, Momentary, 10A, 14VDC, Solder Terminal, Rocker Actuator, Panel Mount | LRRF51-2B-1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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M13RF512
STMicroelectronics
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1 | EEPROM | M13RF512 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512-006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF512-006PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDURF5120
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-220AC | SDURF5120 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512-001PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF512-001PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512-011PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF512-011PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512-011
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF512-011 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||