Showing 18 of 93 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-001 |
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IRF513-012
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-010
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-010PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-010PBF |
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IRF513R
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513-002PBF |
0
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IRF513-009PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513-009PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-002 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513R
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SRF-51-3
JST Manufacturing
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1 | Ring Terminal, 2mm2 | SRF-51-3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-001PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513-001PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-003 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-003PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-003PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||