Showing 25 of 222 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-250250-4Y100-2
Anaren Microwave
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1 | 0MHz Min, 2000MHz Max | RFP-250250-4Y100-2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP250
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP251
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRFP251 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-250-100RM-S
Anaren Microwave
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1 | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2000MHz Max | RFP-250-100RM-S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-25-9APZ
Anaren Microwave
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1 | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max | RFP-25-9APZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP254PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP254PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-25-30AP
Anaren Microwave
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1 | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 3000MHz Max | RFP-25-30AP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-250375A4Z50
Anaren Microwave
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1 | 0MHz Min, 3000MHz Max, 50ohm | RFP-250375A4Z50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP252
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP252 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP254PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP254PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP255R
Harris Semiconductor
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0 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP255R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-250250N4AA5
Anaren Microwave
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1 | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2000MHz Max | RFP-250250N4AA5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-250-200RM
Anaren Microwave
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 250W, 200ohm, 5% +/-Tol, Surface Mount, ROHS COMPLIANT | RFP-250-200RM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP250R
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP250R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP252
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP252 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP251
Texas Instruments
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,150V V(BR)DSS,33A I(D),TO-247 | IRFP251 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP252R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP252R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-25-6APZ
Anaren Microwave
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1 | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max | RFP-25-6APZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-25-2APZ
Anaren Microwave
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1 | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max | RFP-25-2APZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP250
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP254N
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP254N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP254A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP254A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HCD370/DRFP25.0MHZ
Golledge Electronics Ltd
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1 | Sine Output Oscillator, 10MHz Nom | HCD370/DRFP25.0MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP254
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP254 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP250
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | IRFP250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||