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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS3806TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 60V, 0.0158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS3806TRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CIR020RFS-32-17P-F80-T54
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 4 Contact(s), Aluminum Alloy, Male, Crimp Terminal, Receptacle | CIR020RFS-32-17P-F80-T54 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS3004-7TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.00125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB | AUIRFS3004-7TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCP0505B294RFS3
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1.4W, 294ohm, 20.2879V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 0505, CHIP | RCP0505B294RFS3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DRFS-3252KI
Digital RF Solutions Corp
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1 | Memory IC, CMOS, CDIP24 | DRFS-3252KI |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFS30000
HVCA & CKE
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1 | Rectifier Diode | MRFS30000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V09-A-RR-FS3BAR-CR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 10000Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V09-A-RR-FS3BAR-CR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V04-A-UC-RR-FS3BAR-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 250Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V04-A-UC-RR-FS3BAR-WM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-C09-A-UC-RR-FS3BAR-CR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 10000Psi Max, 2%, 4-20mA, Cylindrical | 3820-C09-A-UC-RR-FS3BAR-CR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS30N20D
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS30N20D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V08-A-RR-FS3BAR-CR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 5000Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V08-A-RR-FS3BAR-CR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCP0505W187RFS3
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1.4W, 187ohm, 16.1802V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 0505, CHIP | RCP0505W187RFS3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS35R
Mersen Electrical Power
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1 | Electric Fuse, 35A, 600VAC, 10000A (IR), Inline/holder | RFS35R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS33N15DTRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS33N15DTRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCP2512B887RFS3
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 3.5W, 887ohm, 55.718V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP | RCP2512B887RFS3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V06-A-RR-FS3BAR-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 1000Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V06-A-RR-FS3BAR-WM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS3107-7TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 75V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB | AUIRFS3107-7TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRCIR02RFS-36-5S-F80-T12
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 4 Contact(s), Aluminum Alloy, Female, Crimp Terminal, Receptacle | FRCIR02RFS-36-5S-F80-T12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS3004-7P
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.00125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB | AUIRFS3004-7P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CIR020RFS-32-17P-F80-T12
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 4 Contact(s), Aluminum Alloy, Male, Crimp Terminal, Receptacle | CIR020RFS-32-17P-F80-T12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS38N20DTRLPBF
International Rectifier
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1 | Transistor | IRFS38N20DTRLPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS3004TRL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.00175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS3004TRL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS3206TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS3206TRL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS3107-7TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 75V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB | AUIRFS3107-7TRR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3307ZTRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3307ZTRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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