Showing 25 of 351 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IM801E-61RFS-66.0000MHZ
ILSI America LLC
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1 | 66MHz Nom | IM801E-61RFS-66.0000MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS610B_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS610B_FP001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCP0603B732RFS6
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1.5W, 732ohm, 33.1361V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP | RCP0603B732RFS6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS630A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS630A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V03-A-UC-RR-FS60PSI-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 100Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V03-A-UC-RR-FS60PSI-WM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS614A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS614A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS614A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS614A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS621
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS621 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IM801D-33RFS-66.0000MHZ
ILSI America LLC
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1 | 66MHz Nom | IM801D-33RFS-66.0000MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS654B_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS654B_FP001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-C08-A-UC-RR-FS60PSI-OR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 5000Psi Max, 2%, 4-20mA, Cylindrical | 3820-C08-A-UC-RR-FS60PSI-OR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS634B_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS634B_FP001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V04-A-RR-FS60PSI-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 250Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V04-A-RR-FS60PSI-WM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-C07-A-RR-FS60PSI-CR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 2500Psi Max, 2%, 4-20mA, Cylindrical | 3820-C07-A-RR-FS60PSI-CR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS6535
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS6535 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-C04-A-UC-RR-FS60PSI-CR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 250Psi Max, 2%, 4-20mA, Cylindrical | 3820-C04-A-UC-RR-FS60PSI-CR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IM801C-22RFS-66.0000MHZ
ILSI America LLC
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1 | 66MHz Nom | IM801C-22RFS-66.0000MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS634
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS634 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BRFS60
Cosel USA Inc
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1 | DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 120W, Hybrid | BRFS60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IM820C-2FRFS-66.0000MHZ
ILSI America LLC
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1 | LVCMOS Output Clock Oscillator, 66MHz Nom | IM820C-2FRFS-66.0000MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS644A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS644A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCP0603W976RFS6
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1.5W, 976ohm, 38.2623V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP | RCP0603W976RFS6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IM801C-31RFS-66.0000MHZ
ILSI America LLC
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1 | 66MHz Nom | IM801C-31RFS-66.0000MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V08-A-RR-FS60PSI-OR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 5000Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V08-A-RR-FS60PSI-OR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IM820B-2FRFS-66.0000MHZ
ILSI America LLC
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1 | LVCMOS Output Clock Oscillator, 66MHz Nom | IM820B-2FRFS-66.0000MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||