Showing 25 of 216 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ24SPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRLZ24SPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ24N-011
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ24N-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ24N-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ24N-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ24N-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ24N-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ24-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ24-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ24N-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ24N-017PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ24
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLZ24 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ24-030PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ24-030PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RLZ2.4ATE-12
ROHM Semiconductor
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1 | Zener Diode, 0.5W, Silicon, Unidirectional | RLZ2.4ATE-12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ24N-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ24N-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RLZ2.4
ROHM Semiconductor
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1 | Zener Diode, 2.4V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, ULTRA COMPACT, LL-34, 2 PIN | RLZ2.4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ24-006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ24-006PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RLZ2.4ATE12A
ROHM Semiconductor
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1 | Zener Diode, 0.5W, Silicon, Unidirectional | RLZ2.4ATE12A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ24N-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ24N-005PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ24N-024
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ24N-024 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ24-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ24-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ24N-003PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ24N-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ24-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ24-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ24
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ24 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ24-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ24-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ24N-031PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ24N-031PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ24N-010PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ24N-010PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ24
Texas Instruments
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1 | 17A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | IRLZ24 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ24-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ24-010PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLZ24N-015PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLZ24N-015PBF |
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