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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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REA222M1CSDF1316C
Lelon Electronics Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 16V, 20% +Tol, 20% -Tol, 2200uF, | REA222M1CSDF1316C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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REA332M1ESDF1820C
Lelon Electronics Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 25V, 20% +Tol, 20% -Tol, 3300uF, | REA332M1ESDF1820C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF120JABEGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF120JABEGSB |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N60JAASHU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF10N60JAASHU1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF11N100GAFEHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1000V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF11N100GAFEHSZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF12N90GAFSGU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF12N90GAFSGU1N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF140JAAVGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF140JAAVGSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF130JDASGU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | SDF130JDASGU1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF11N100GAFEHSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1000V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF11N100GAFEHSN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF140JDAVHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | SDF140JDAVHSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF11N90GAFEGD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 900V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF11N90GAFEGD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISDF-18-D-R
Samtec Inc
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1 | Board Connector, 36 Contact(s), 2 Row(s), Female, Crimp Terminal, Socket | ISDF-18-D-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGA680M2ESDF1820B
Lelon Electronics Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 250V, 20% +Tol, 20% -Tol, 68uF, | RGA680M2ESDF1820B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF120JAAVHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF120JAAVHD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF150JAAXHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF150JAAXHSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF1NA60JABSGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF1NA60JABSGSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGA470M2DSDF1620C
Lelon Electronics Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 200V, 20% +Tol, 20% -Tol, 47uF, | RGA470M2DSDF1620C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF130JABXHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF130JABXHSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF150JABEGD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF150JABEGD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FSS53SDF-13.000
Fox Electronics
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1 | HCMOS Output Clock Oscillator, 13MHz Nom | FSS53SDF-13.000 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF17N60GAFSHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF17N60GAFSHSZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JEBVGU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N100JEBVGU1N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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REA222M1VSDF1620B
Lelon Electronics Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, 2200uF, | REA222M1VSDF1620B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF1NA60JDAVHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | SDF1NA60JDAVHD1B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF12N100GAFXHU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF12N100GAFXHU1B |
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