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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4NA100JABSGSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF4NA100JABSGSN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N100JAAVGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF4N100JAAVGSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N90JABXGSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4N90JABXGSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N100JAAEGD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF4N100JAAEGD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABEHU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4N60JABEHU1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N100JAAXHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF4N100JAAXHD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N90JABXGU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4N90JABXGU1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4NA100JABSGU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4NA100JABSGU1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JAASGD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF4N60JAASGD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JAAXHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF4N60JAAXHSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4NA100JAASHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF4NA100JAASHD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N90JAAXHU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF4N90JAAXHU1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABVHU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4N60JABVHU1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N90JAAVHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF4N90JAAVHSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N90JAAXGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF4N90JAAXGSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABXGU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4N60JABXGU1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4NA100JABEGD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF4NA100JABEGD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4NA100JABVHD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF4NA100JABVHD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N90JAAXHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF4N90JAAXHD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4NA100JAASGSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, | SDF4NA100JAASGSN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABSHU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4N60JABSHU1B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N100JAAXGD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF4N100JAAXGD1B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N100JABVGSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF4N100JABVGSN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABSGD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN | SDF4N60JABSGD1B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N100JAAXHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF4N100JAAXHSB |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||