Showing 25 of 108 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSI107D-66JEY
Integrated Device Technology Inc
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1 | Micro Peripheral IC | TSI107D-66JEY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSI107D-100JEY
Renesas Electronics
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1 | The TSI107 Host Bridge for PowerPC provides system interconnect between PowerPC processors, PCI peripherals, and local memory. The TSI107 provides many of the other necessities for embedded applications, including a high-performance memory controller and dual processor support; two-channel flexible DMA controller, an interrupt controller, an I2O-ready message unit, an inter-integrated circuit controller (I2C), and low-skew clock drivers. | TSI107D-100JEY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASI10709
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.500 INCH, 4L, FM-4 | ASI10709 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASI10725
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.380 INCH, STUD PACKAGE-4 | ASI10725 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASI10701
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | ASI10701 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASI10732
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, | ASI10732 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSI107D-100JEY
Tundra Semiconductor Corp
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1 | PCI Bus Controller, CMOS, PBGA503, 33 X 33 MM, 2.75 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, FLIP CHIP, BGA-503 | TSI107D-100JEY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASI10707
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | ASI10707 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASI10712
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, | ASI10712 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASI10737
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, | ASI10737 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASI10740
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, | ASI10740 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASI10710
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | ASI10710 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LSI107250T
Taiwan Ostor Corporation
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 250V, 50% +Tol, 10% -Tol, 100uF, | LSI107250T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASI10736
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, | ASI10736 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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63BSI10.70.25%10
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 2W, 10.7ohm, 100V, 0.25% +/-Tol, -10,10ppm/Cel, | 63BSI10.70.25%10 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSI107D-100JEY
Integrated Device Technology Inc
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1 | FCBGA-503, Tray | TSI107D-100JEY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSI107D-100JE
Tundra Semiconductor Corp
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1 | PCI Bus Controller, CMOS, PBGA503, 33 X 33 MM, 2.75 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, FLIP CHIP, BGA-503 | TSI107D-100JE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASI10726
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.380 INCH, FM-4 | ASI10726 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSI107CWFR
Renesas Electronics
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0 | TSI107CWFR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASI10760
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, | ASI10760 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSI107D-133LEY
Integrated Device Technology Inc
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1 | FCBGA-503, Tray | TSI107D-133LEY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASI10770
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, | ASI10770 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASI10714
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, | ASI10714 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSI107DWFR
Renesas Electronics
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0 | TSI107DWFR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASI10744
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.380 INCH, STUD PACKAGE-4 | ASI10744 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||