Showing 25 of 158 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3456DV-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3456DV-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3453A-B02-GMR
Silicon Laboratories Inc
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1 | Telecom Circuit, 1-Func | SI3453A-B02-GMR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3451DV-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3451DV-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3454DV-T1
Temic Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3454DV-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3452-B01-GMR
Silicon Laboratories Inc
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1 | CMOS | SI3452-B01-GMR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3453C-B01-GMR
Silicon Laboratories Inc
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1 | Telecom Circuit, 4-Func | SI3453C-B01-GMR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3457BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3457BDV-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3457DV
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3457DV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3458DV
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3458DV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3457DVD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3457DVD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3453D-B01-GMR
Silicon Laboratories Inc
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1 | Telecom Circuit, 4-Func | SI3453D-B01-GMR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3456DVS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3456DVS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3452B-B02-GM
Silicon Laboratories Inc
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1 | Micro Peripheral IC | SI3452B-B02-GM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3452B-B02-GMR
Silicon Laboratories Inc
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1 | Micro Peripheral IC | SI3452B-B02-GMR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3457DV-T1
Temic Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3457DV-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3457DV
Rochester Electronics LLC
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1 | 4000mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-6 | SI3457DV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3458BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3458BDV-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3453A-B01-GM
Silicon Laboratories Inc
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1 | Telecom Circuit, 4-Func | SI3453A-B01-GM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3452A-B01-GMR
Silicon Laboratories Inc
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1 | CMOS | SI3452A-B01-GMR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3452A-B01-GM
Silicon Laboratories Inc
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1 | CMOS | SI3452A-B01-GM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3457DV-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3457DV-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3459BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0022A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA | SI3459BDV-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3454DV
Rochester Electronics LLC
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1 | 4200mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-6 | SI3454DV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3453D-B02-GMR
Silicon Laboratories Inc
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1 | Telecom Circuit, 1-Func | SI3453D-B02-GMR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI3458BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3458BDV-T1-GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||