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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000997958
Infineon Technologies AG
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1 | Hall Effect Sensor, 2.7mT Min, 10.4mT Max, 0-25mA, Rectangular, 3 Pin, Surface Mount | SP000997958 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000225701
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SP000225701 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000746930
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | SP000746930 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000979924
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SP000979924 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP0000-84808
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SP0000-84808 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000973736
Infineon Technologies AG
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1 | Capacitive Sensor, Absolute, 1.45Psi Min, 58.01Psi Max, 0.77%, 0.5-4.1V, Square, Surface Mount | SP000973736 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000905376
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-247 | SP000905376 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000101744
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | SP000101744 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000748374
Infineon Technologies AG
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin | SP000748374 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000010873
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | SP000010873 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000796912
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | SP000796912 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000928952
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SP000928952 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000680772
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SP000680772 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000757912
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | SP000757912 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000604336
Infineon Technologies AG
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1 | Hall Effect Sensor, -3.5mT Min, 3.5mT Max, 0-20mA, Rectangular, 3 Pin, Through Hole Mount | SP000604336 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000794686
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES | SP000794686 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000743402
Infineon Technologies AG
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1 | Pin Diode, 50V V(BR), Silicon | SP000743402 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000440972
Infineon Technologies AG
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1 | Hall Effect Sensor, 50mT Min, 200mT Max, 0-5mA, Rectangular, 4 Pin, Through Hole Mount | SP000440972 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000683106
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6.2A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | SP000683106 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000702486
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | SP000702486 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000014785
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | SP000014785 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000012949
Infineon Technologies AG
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1 | Magnetic Field Sensor | SP000012949 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000680796
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SP000680796 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000748124
Infineon Technologies AG
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin | SP000748124 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000443634
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | SP000443634 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||