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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8111
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8111 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8204
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8204 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8060-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8060-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8075(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8075(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8081
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8081 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8054-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8054-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8041(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8041(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8408,LQ
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 40V, 0.036ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8408,LQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8126(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8126(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8134,LQ
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 40V, 0.066ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8134,LQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8081(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8081(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2R5TPC82M
Sanyo Electronic Devices Corp (Components)
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1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum, 2.5V, 20% +Tol, 20% -Tol, 82uF, 2412, | 2R5TPC82M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC817S1BRAG
Taiwan Semiconductor
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1 | Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 5000V Isolation | TPC817S1BRAG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8027
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8027 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8124(TE12L,V,M)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.01ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8124(TE12L,V,M) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8108
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8108 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8048-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.0074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8048-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8007-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8007-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8057-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8057-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8A05-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.0176ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8A05-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8050-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8050-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8125,LQ
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPC8125,LQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8085(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8085(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8042(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8042(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8031-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8031-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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