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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8081(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8081(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8027
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8027 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8048-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.0074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8048-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8007-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8007-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8057-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8057-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8050-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8050-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8085(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8085(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8042(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8042(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8031-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8031-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8058-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8058-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8064-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0108ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8064-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8017-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8017-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8086
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8086 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8027(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8027(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8054-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8054-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8022-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8022-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8067-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8067-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8024-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8024-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8029
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8029 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8058-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8058-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8080
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8080 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8088
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8088 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8081,LQ(M
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8081,LQ(M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8045-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 40V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8045-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8013-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8013-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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