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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8206(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8206(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8007-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8007-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8406,LF(CM
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8406,LF(CM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8901(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin | TPCP8901(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8011(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 40V, 0.0512ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8011(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8901(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin | TPCP8901(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8303(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 20V, 0.06ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8303(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8012(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8012(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8008-H(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8008-H(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8601(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 1-Element, PNP | TPCP8601(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8101(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8101(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8604(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin | TPCP8604(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8H01
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | TPCP8H01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8106(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8106(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8205-H(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8205-H(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8009(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8009(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8207(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8207(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8007-H(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8007-H(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8L01(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor | TPCP8L01(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8001-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8001-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8107
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 40V, 0.0268ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8107 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8505(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin | TPCP8505(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8009
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 40V, 0.0195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8011
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 40V, 0.0512ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8513,LF
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin | TPCP8513,LF |
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