Showing 25 of 260 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1JL
SUNMATE electronic Co., LTD
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1 | Surface mount fast recovery rectifier with 50 to 1000V repetitive peak reverse voltage, 1.0A average forward current, low reverse leakage, and 70 to 280ns reverse recovery time, housed in JEDEC SOD-123FL molded plastic package. | US1JL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1JW
Shandong Jingdao Microelectronics Co Ltd
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1 | Surface mount ultrafast recovery rectifier with 50 to 1000 V reverse voltage, 1 A forward current, low profile SOD-123FL package, glass passivated junction, and lead-free finish compliant with EU RoHS 2011/65/EU. | US1JW |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1J-E3/61T
Vishay Semiconductors
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1 | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R | US1J-E3/61T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1JF4
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC | US1JF4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1JW-R1-10001
PanJit Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, | US1JW-R1-10001 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1JE2G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC | US1JE2G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1JF
AK Semiconductor
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1 | Surface Mount Ultrafast Recovery Rectifier with 1A average forward current, 50 to 1000V repetitive peak reverse voltage, 30A surge current, and 50-75ns reverse recovery time in SMAF package. | US1JF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1JG
Shikues Semiconductor
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1 | Surface mount ultrafast recovery rectifier, 50-1000V, 1A, low profile, glass passivated, RoHS compliant. | US1JG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1JE3
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CLIP SMA, 2 PIN | US1JE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1JW-R2-10001
PanJit Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, | US1JW-R2-10001 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1JF
SUNMATE electronic Co., LTD
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1 | Surface mount ultra-fast rectifier diodes with 50 to 1000V peak repetitive reverse voltage, 1.0A average rectified output current, low forward voltage drop, and reverse recovery time of 50 to 75ns.Surface mount ultra-fast rectifier diode with 50 to 1000V repetitive reverse voltage, 1.0A average rectified current, 30A non-repetitive surge current, 1.3V forward voltage drop at 1.0A, and 50ns reverse recovery time.Surface mount ultra-fast rectifier diodes with 50 to 1000V peak repetitive reverse voltage, 1.0A average rectified current, 30A non-repetitive peak forward surge current, low forward voltage drop, and 50ns reverse recovery time.Surface mount ultra-fast rectifier diodes with 50 to 1000V peak repetitive reverse voltage, 1.0A average rectified output current, low forward voltage drop, and reverse recovery time of 50 to 75ns. | US1JF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1J (UF1J)
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | Ultrafast recovery rectifier diode in SMA package with 600 V maximum recurrent peak reverse voltage, 1 A average forward current, 50 ns reverse recovery time, low forward voltage drop, and surface mount design. | US1J (UF1J) |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1JAF
Luguang Electronic Technology Co Ltd
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1 | High-Efficiency Recovery Rectifier, Case Style : SMAF; IAV (A) : 1; VRRM (V) : 600; IFSM (A) : 30; VF (V) : 1.7; @IAV (A): 1; IR (µA) TA=25ºC: 5.0; TRR (nS): 75 | US1JAF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1JHF2
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC | US1JHF2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1JR3G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC | US1JR3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1JHR3
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC | US1JHR3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1J-G
WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
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1 | Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), | US1J-G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1JFL
MCC
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1 | Super Fast Recovery Rectifiers | US1JFL |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1JL
JCET Group
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1 | US1AL through US1ML high efficient rectifier diodes in SOD-123FL package, with repetitive peak reverse voltage from 50V to 1000V, average forward current 1A, and fast recovery time, suitable for surface mount applications. | US1JL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1JW
AK Semiconductor
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1 | Surface mount ultrafast recovery rectifier in SOD-123FL package with reverse voltage ratings from 50V to 1000V, 1A forward current, 50-75ns reverse recovery time, and low profile lead-free design suitable for surface mounted applications. | US1JW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1JF
SLKOR
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1 | Surface mount, 50-1000V, 1A, SMAF, glass passivated, lead-free, RoHS, -55 to +150°C. | US1JF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1JB
Luguang Electronic Technology Co Ltd
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1 | High-Efficiency Recovery Rectifier, Case Style : SMB; IAV (A) : 1; VRRM (V) : 600; IFSM (A) : 30; VF (V) : 1.7; @IAV (A): 1; IR (µA) TA=25ºC: 5.0; TRR (nS): 75 | US1JB |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1JBF (UF1JBF)
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | Ultrafast recovery rectifier diode in SMBF surface mount package, with 400 V peak reverse voltage, 1 A average forward current, 35 A surge current capability, and 50 ns reverse recovery time. | US1JBF (UF1JBF) |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1JF4G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC | US1JF4G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US1JHF3
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC | US1JHF3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||