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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50P06G-T2Q-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | UTT50P06G-T2Q-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50P06L-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UTT50P06L-TQ2-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50P04L-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.013ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT50P04L-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50N03LG-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT50N03LG-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50N06L-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UTT50N06L-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50N06L-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UTT50N06L-TQ2-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50P06L-H-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT50P06L-H-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50N15ML-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-263AB | UTT50N15ML-TQ2-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50N15MG-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-263AB | UTT50N15MG-TQ2-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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