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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667DW
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6667DW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661
Motorola Semiconductor Products
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD | 2N6661 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N666816A
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N666816A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6666-DR6280
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6666-DR6280 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667AK
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6667AK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667AN
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6667AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668E3
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-220, Plastic/Epoxy, 2 Pin | 2N6668E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668BA
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668BA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660X
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 60V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | 2N6660X |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6666
Boca Semiconductor Inc
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1 | Transistor | 2N6666 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668-6200
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668-6200 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661JTXV02
Vishay Siliconix
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1 | Trans MOSFET N-CH 90V 0.86A 3-Pin TO-205AD | 2N6661JTXV02 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667-6203
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6667-6203 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667BV
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6667BV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6666-DR6259
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6666-DR6259 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668-6265
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668-6265 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667WD
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6667WD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661CSM4-QR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-041BA | 2N6661CSM4-QR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6666
National Semiconductor Corporation
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0 | Transistor | 2N6666 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660N2
Supertex Inc
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1 | Transistor | 2N6660N2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661-QR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6661-QR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD | 2N6661-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668W
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660
Advanced Semiconductor Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | 2N6660 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD | 2N6660-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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