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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6788-QR-BR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6A, 100V, 0.345ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN | 2N6788-QR-BR1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6783LCC4E4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.25A, 150V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC40SM | 2N6783LCC4E4 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6789-SM
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.5A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-220SM, 3 PIN | 2N6789-SM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6782TX
Intersil Corporation
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1 | 3.5A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | 2N6782TX |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6786R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1.25A, 400V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6786R1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6781LCC4E4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 0.6ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | 2N6781LCC4E4 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6788
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, FORMERLY TO-39, 3 PIN | 2N6788 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6784
Intersil Corporation
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1 | 2.25A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | 2N6784 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6788
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6A, 100V, 0.345ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN | 2N6788 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6783R1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, | 2N6783R1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N678A
GPD Optoelectronics Corp
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1 | Transistor | 2N678A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6788-QR-BR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN | 2N6788-QR-BR1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6787LCC4-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6A, 60V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | 2N6787LCC4-JQR-B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6782EPBF
Infineon Technologies AG
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1 | 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | 2N6782EPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6782
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6782 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6781LCC4-JQR
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 0.6ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | 2N6781LCC4-JQR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6781LCC4-JQR
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.5A, 60V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | 2N6781LCC4-JQR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6788EC
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6788EC |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6782.MOD
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.5A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6782.MOD |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6782ED
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, | 2N6782ED |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6781
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6781 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6782SCC5205/014
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, | 2N6782SCC5205/014 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6787LCC4-JQR-AE4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 60V, 1.8ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | 2N6787LCC4-JQR-AE4 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6788
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6788 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6787LCC4E4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6A, 60V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | 2N6787LCC4E4 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||