Showing 25 of 314 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002K1DW-H
Formosa Microsemi Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 2N7002K1DW-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002KT1E3
Vishay Dale
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0 | XSTR BS870 SOT 23 | 2N7002KT1E3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002KB
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | N-Channel 60-V MOSFET in SOT-23 package with 2.8 ohm typical RDS(on) at 10 V VGS, 250 mA continuous drain current, low gate threshold voltage of 2 V, and 25 pF input capacitance, suitable for high-speed switching applications. | 2N7002KB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002K 72K
JCET Group
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1 | N-channel MOSFET in SOT-23 package with 60 V drain-source voltage, 340 mA drain current, 0.35 W power dissipation, and low on-resistance of 5 ohms at 10 V gate-source voltage. | 2N7002K 72K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002KDW
SLKOR
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1 | UL 94 V-0, low RDS(ON), ESD Protected. VDS 60V, VGS ±20V, ID 340mA, Pd 150mW, TJ 150°C, RθJA 820°C/W. | 2N7002KDW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002K4DW
Formosa Microsemi Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 2N7002K4DW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002KDW
JCET Group
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1 | N-channel MOSFET in SOT-363 package with 60V drain-source voltage, 340mA drain current, 5.3 ohm typical RDS(on) at 4.5V VGS, and ESD protection for use in load switches and DC/DC converters. | 2N7002KDW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002KW
AK Semiconductor
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1 | N-Channel enhancement MOSFET in SOT-323 package with 60V drain-source voltage, 300mA continuous drain current, 350mW power dissipation, and 2.5V maximum gate threshold voltage, featuring low on-resistance and fast switching speed. | 2N7002KW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002KTB89
PanJit Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 2N7002KTB89 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002K-H
Formosa Microsemi Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002K-H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002KF2
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.34A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002KF2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002KW-R2-10001
PanJit Semiconductor
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1 | Transistor | 2N7002KW-R2-10001 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002K1-G
Microchip Technology Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | 2N7002K1-G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002K1DW
Formosa Microsemi Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 2N7002K1DW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002KDW-R1-10001
PanJit Semiconductor
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1 | Transistor | 2N7002KDW-R1-10001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002KM
Shikues Semiconductor
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1 | High Density Cell Design for Low RDS(ON), Voltage Controlled Small Signal Switch, Small Outline Surface Mount Package, RoHS compliant / Green EMC. | 2N7002KM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002KW
SLKOR
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1 | N-Channel MOSFET, 60V, 340mA, SOT-323, Low RDS(on), ESD protected, Load Switch, DC/DC Converter. | 2N7002KW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002KDW
CREATEK Microelectronics
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1 | Dual N-Channel MOSFET in SOT-363 package, 60 V drain-source voltage, 340 mA continuous drain current, 1.4 ohm typical on-resistance at 4.5 V gate drive, RoHS compliant, ESD protected gate, suitable for load switching and power management applications. | 2N7002KDW |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002K1-G
Supertex Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | 2N7002K1-G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002K4DW-H
Formosa Microsemi Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 2N7002K4DW-H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002KW
JCET Group
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1 | N-channel MOSFET in SOT-323 package with 60 V drain-source voltage, 340 mA continuous drain current, 0.2 W power dissipation, and low RDS(on) of 1.1 ohms at VGS = 4.5 V. | 2N7002KW |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002KWS-TP
Micro Commercial Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V | 2N7002KWS-TP |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002KT
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | N-channel MOSFET in SOT-523 package with 60 V drain-source voltage, 340 mA continuous drain current, low on-resistance, fast switching speed, and 0.15 W power dissipation. | 2N7002KT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002KT
CREATEK Microelectronics
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1 | N-channel MOSFET in SOT-523 package with 60 V drain-source voltage, 340 mA continuous drain current, 0.95 ohm on-resistance at 10 V gate voltage, and ESD protection of 2 kV HBM. | 2N7002KT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002K1
Microchip Technology Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | 2N7002K1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||