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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB834G-Y-AB3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SB834G-Y-AB3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB834GR
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 1-Element, PNP | 2SB834GR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB834L-GR-AB3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SB834L-GR-AB3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB831B
Hitachi Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), PNP, MPAK-3 | 2SB831B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB831BBTR
Hitachi Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | 2SB831BBTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB834Y
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SB834Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB834G-GR-AB3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SB834G-GR-AB3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB834Y(TO-220)
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 1-Element, PNP | 2SB834Y(TO-220) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB834O
Transys Electronics Limited
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1 | Transistor | 2SB834O |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB834G-Y-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SB834G-Y-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB834L-GR-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SB834L-GR-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB834
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SB834 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB831BCTR
Hitachi Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | 2SB831BCTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB834(RANGE:100-200)
JCET Group
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1 | PNP transistor in TO-220-3L package with collector-emitter voltage of -60V, continuous collector current of -3A, DC current gain of 60-200, and low collector-emitter saturation voltage of -1V at -3A. | 2SB834(RANGE:100-200) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB834G-GR-T60-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SB834G-GR-T60-K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB831BB01
Hitachi Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | 2SB831BB01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB834
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, | 2SB834 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB834OG
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor | 2SB834OG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB831BC
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | 2SB831BC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB834L-O-T6S-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor | 2SB834L-O-T6S-K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB835R
Panasonic Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 18V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | 2SB835R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB834Y
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Transistor | 2SB834Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB835S
Panasonic Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 18V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | 2SB835S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB834Y
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 1-Element, PNP | 2SB834Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SB834L-GR-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | 2SB834L-GR-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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