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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK160A-T2BK24
NEC Electronics America Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, PLASTIC, SC-59, 3 PIN | 2SK160A-T2BK24 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1620(S)TR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1620(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1618(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 5ohm, POWER, FET, LDPAK-3 | 2SK1618(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK160A-K27
Renesas Electronics Corporation
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1 | 20 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, MINIMOLD PACKAGE-3 | 2SK160A-K27 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1648(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 15A, 60V, 0.095ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 2SK1648(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK161-Y
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, 2-4E1D, 3 PIN, FET RF Small Signal | 2SK161-Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1621(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.55ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1621(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1603
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 2 A, 900 V, 6.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220IS, TO-220IS, 3 PIN, FET General Purpose Power | 2SK1603 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1647(S)-(1)
Renesas Electronics Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,900V V(BR)DSS,2A I(D),TO-263ABVAR | 2SK1647(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1647(S)-(2)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1647(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1671
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.095ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 2SK1671 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1636(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.27ohm, POWER, FET, LDPAK-3 | 2SK1636(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1623STL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | 20A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SC-83, LDPAK-3 | 2SK1623STL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1697EYUR
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.5A, 60V, 2.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 2SK1697EYUR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1658-T2
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPER MINIMOLD, SC-70, 3 PIN | 2SK1658-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1690DR
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 450V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1690DR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1683
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ITO-3P, 3 PIN | 2SK1683 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK163
NEC Electronics America Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92, | 2SK163 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1637
Renesas Electronics Corporation
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1 | 4A, 600V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220FM, 3 PIN | 2SK1637 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1643
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 5 A, 900 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power | 2SK1643 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1691DR
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 450V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1691DR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1672-4101
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 500V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, EPACK-3 | 2SK1672-4101 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1600
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 3 A, 800 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, SC-46, 2-10P1B, 3 PIN, FET General Purpose Power | 2SK1600 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1625(S)TR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1625(S)TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1606
Panasonic Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 450V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 2SK1606 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||