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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1962V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 19600ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1962V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1103V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 110000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1103V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1873
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 187000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1873 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1430
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 143ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1430 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1603V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 160000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1603V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1100
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 110ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1801V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1800ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1801V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1432
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 14300ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1432 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1821
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1820ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1821 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1470V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 147ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1470V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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K6L1016U3B-TF10
Samsung Semiconductor
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1 | Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PDSO44 | K6L1016U3B-TF10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1622V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 16200ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1622V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1650
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 165ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1650 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1910
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 191ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1910 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1273
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 127000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1273 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1961V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1960ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1961V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1963
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 196000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1963 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1740V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 174ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1740V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1543
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 154000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1543 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1202
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 12000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1202 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1270V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 127ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1270V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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K6T4016C3B-TF100
Samsung Semiconductor
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1 | Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44 | K6T4016C3B-TF100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1210V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 121ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1210V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1693V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 169000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1693V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1051
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1050ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1051 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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