Showing 25 of 138 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
4N60G-Q-T2Q-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | 4N60G-Q-T2Q-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
4N60G-HC-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, | 4N60G-HC-TN3-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
4N60G-A-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | 4N60G-A-TF1-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
4N60G-N-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N60G-N-TN3-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
4N60G-TMS2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N60G-TMS2-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
4N60G-N-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N60G-N-TMS-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
4N60G-S-TMS4-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N60G-S-TMS4-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
4N60G-TF3T-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N60G-TF3T-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
4N60G-TMS4-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N60G-TMS4-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
4N60G-S-TND-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N60G-S-TND-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
4N60G-E-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 4N60G-E-TQ2-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
4N60G-Q-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N60G-Q-TF1-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
4N60G-TA5-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N60G-TA5-TM3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
4N60G-CQ-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N60G-CQ-TF1-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
4N60G-S-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N60G-S-TF3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
4N60G-B-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | 4N60G-B-TN3-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
4N60G-A-T2Q-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | 4N60G-A-T2Q-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
14N60G-TC-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 14N60G-TC-TQ2-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
F4N60G-MHQ-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | F4N60G-MHQ-TF1-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
F4N60G-MHQ-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | F4N60G-MHQ-TN3-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
24N60G-CB-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 600V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 24N60G-CB-TF3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
D4N60G-KW-AB3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | D4N60G-KW-AB3-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
D4N60G-KW-T92-B
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | D4N60G-KW-T92-B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
14N60G-TC-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 14N60G-TC-TF3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
14N60G-TC-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 14N60G-TC-TF1-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||