Showing 25 of 137 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2302S5
Diodes Incorporated
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1 | DDR TERMINATION REGULATOR, 1 Output, PSSO5 | AP2302S5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2306CGTN-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP2306CGTN-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2302LDTR-E1
Diodes Incorporated
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1 | 1 Output, PSSO5 | AP2302LDTR-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2303D5-E1
Diodes-BCD
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1 | Regulator | AP2303D5-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2302S5-E1
Diodes-BCD
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1 | 1 Output, PSSO5 | AP2302S5-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2305BGN-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP2305BGN-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2308GEN
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP2308GEN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2302LDTR-E1
Diodes-BCD
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1 | 1 Output, PSSO5 | AP2302LDTR-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2302S5TR
Diodes-BCD
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1 | 1 Output, PSSO5 | AP2302S5TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2301BGN-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 20V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP2301BGN-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2302LM-E1
Diodes Incorporated
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1 | 1 Output, PDSO8 | AP2302LM-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2301GN-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 20V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP2301GN-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2301N
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | P-Channel 20V -5A MOSFET in SOT-23 package with RDS(on) of 35mΩ at VGS = -10V, featuring trench technology, suitable for load switches, PA switches, and DC/DC converters. | AP2301N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2305GN
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | P-Channel 20-V, 5-A MOSFET in SOT-23 package with RDS(on) of 0.035 ohm at VGS = -10 V, suitable for load switches, PA switches, and DC/DC converters. | AP2305GN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2303MTR
Diodes Incorporated
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1 | Regulator | AP2303MTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2303MTR-E1
Diodes Incorporated
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1 | Regulator | AP2303MTR-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2305N-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP2305N-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2303D5
Diodes Incorporated
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1 | Regulator | AP2303D5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2304GN-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 25V, 0.117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP2304GN-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2303MTR-E1
Diodes-BCD
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1 | Regulator | AP2303MTR-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2301D
Diodes-BCD
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1 | Regulator | AP2301D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2303D5
Diodes-BCD
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1 | Regulator | AP2303D5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2306AGEN-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP2306AGEN-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2306AGN-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP2306AGN-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP2302M
Diodes-BCD
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1 | 1 Output, PDSO8 | AP2302M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||