Showing 25 of 561 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8030B2VR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 800V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8030B2VR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8075BNR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 13A, 800V, 0.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT8075BNR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802R4BN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 5.5 A, 800 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT802R4BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R2AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | APT801R2AN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8075BVFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT8075BVFR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GP60B2G
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT80GP60B2G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802RCN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,800V V(BR)DSS,5A I(D),TO-254AA | APT802RCN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GP60JDF3
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 151A I(C), 600V V(BR)CES | APT80GP60JDF3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8014L2FLLG
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 800V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT8014L2FLLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8065BVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT8065BVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8014JLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 800V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8014JLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8028JVR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 800V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8028JVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX-427-DPF-APT8A
Microchip Technology Inc
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1 | PLL Frequency Synthesizer | FX-427-DPF-APT8A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8065AVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 11.2A, 800V, 0.67ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE, TO-3, 2 PIN | APT8065AVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX-427-DPC-APT8C
Microchip Technology Inc
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1 | PLL Frequency Synthesizer | FX-427-DPC-APT8C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4STCAPT80.0
Fox Electronics
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1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 80MHz Nom | FC4STCAPT80.0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802RDN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,800V V(BR)DSS,6A I(D),CHIP / DIE | APT802RDN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8DQ60K3CTG
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AB | APT8DQ60K3CTG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8014JFLL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 800V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8014JFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CS-427-DPC-APT8K
Microchip Technology Inc
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1 | PLL Frequency Synthesizer | CS-427-DPC-APT8K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8030JVFR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 800V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8030JVFR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8018L2VFR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 800V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8018L2VFR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GP60JDQ3
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 151A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT80GP60JDQ3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802R4KN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 800V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | APT802R4KN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80F60J
Microchip Technology Inc
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0 | FREDFET MOS 8 600 V 80 A SOT-227 | APT80F60J |
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