Showing 25 of 561 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8075BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT8075BN |
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APT8014L2FLLG
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 800V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT8014L2FLLG |
0
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APT8024B2FLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 800V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8024B2FLL |
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APT80GA90LD40
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 145A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA | APT80GA90LD40 |
0
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APT80F60J
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 600V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT80F60J |
0
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APT802R4BN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 5.5 A, 800 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT802R4BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802R8BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 800V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT802R8BN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8065SVRG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8065SVRG |
0
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APT8052HLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA | APT8052HLL |
0
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FX-427-DPC-APT8A
Microchip Technology Inc
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1 | PLL Frequency Synthesizer | FX-427-DPC-APT8A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8030B2VFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 800V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT8030B2VFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802R8BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 5A, 800V, 2.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT802R8BN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GP60JD3
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 68A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT80GP60JD3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4STCAPT80.0
Fox Electronics
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1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 80MHz Nom | FC4STCAPT80.0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8DQ60K3CTG
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AB | APT8DQ60K3CTG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8DQ60K3
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC | APT8DQ60K3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8075BNR-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8075BNR-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802RDN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,800V V(BR)DSS,6A I(D),CHIP / DIE | APT802RDN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8024B2VFR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 800V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8024B2VFR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8014L2FLLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 800V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT8014L2FLLG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R4BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT801R4BN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8014L2FLL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 800V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT8014L2FLL |
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APT801R4AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT801R4AN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX-427-DPF-APT8A
Microchip Technology Inc
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1 | PLL Frequency Synthesizer | FX-427-DPF-APT8A |
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APT8014JFLL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 800V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8014JFLL |
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