Showing 25 of 1244 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10SC120K
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM) | APT10SC120K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10M19SVFR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10M19SVFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT100S20S
Microchip Technology Inc
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 120A, 200V V(RRM), Silicon | APT100S20S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT100GF60B2R
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT100GF60B2R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT100GT60JR
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 148A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT100GT60JR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10SC60BHB
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247AD | APT10SC60BHB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10050JVFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 1000V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10050JVFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001R3HN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA, TO-258, 3 PIN | APT1001R3HN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001R1AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 1000V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | APT1001R1AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1003R5DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,1KV V(BR)DSS,4.5A I(D),CHIP / DIE | APT1003R5DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1003R5DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT1003R5DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001R6BFLL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1000V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT1001R6BFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10045B2LLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1000V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10045B2LLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1003RSFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT1003RSFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10M07JVFR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 225A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10M07JVFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10078SLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1000V, 0.78ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10078SLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10035LFLLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1000V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT10035LFLLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001R2HN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT1001R2HN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001R2HN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,1KV V(BR)DSS,9A I(D),TO-247HERM | APT1001R2HN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT100S20B
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 120A, 200V V(RRM), Silicon, TO-247 | APT100S20B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10035B2LLG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1000V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10035B2LLG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10078BLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1000V, 0.78ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT10078BLL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001RAN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT1001RAN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10035B2LL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1000V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10035B2LL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001R6SLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT1001R6SLL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||