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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT20M45BNFR-GULLWING
Microsemi Corporation
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1 | 58A, 200V, 0.045ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT20M45BNFR-GULLWING |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M40BFN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 200V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT20M40BFN |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M19JVR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 112A I(D), 200V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4 | APT20M19JVR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M60BNFR-GULLWING
Microsemi Corporation
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1 | 50 A, 200 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT20M60BNFR-GULLWING |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M60BNR
Microsemi Corporation
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1 | 50A, 200V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT20M60BNR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M18LVFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 200V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | APT20M18LVFR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M22B2VR
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CLIP MOUNTED TO-247, TMAX-3 | APT20M22B2VR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M45SVFR
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3/2 | APT20M45SVFR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M45BVR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT20M45BVR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M45BVFR
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | APT20M45BVFR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M38HLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 200V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA, HERMETIC SEALED, TO-258, 3 PIN | APT20M38HLL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M45BNFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT20M45BNFR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M45BNFR-BUTT
Microsemi Corporation
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1 | 58A, 200V, 0.045ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT20M45BNFR-BUTT |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M60BNFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT20M60BNFR |
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APT20M18LVR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 200V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT20M18LVR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M45SVFRG
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, D3PAK-3/2 | APT20M45SVFRG |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M11JVR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 175A I(D), 200V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4 | APT20M11JVR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M18LVRG
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 200V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | APT20M18LVRG |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M18LVR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 200V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | APT20M18LVR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M11JVR
Microsemi Corporation
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1 | Module; single transistor; 200V; 175A; ISOTOP; Ugs: ±30V; screw | APT20M11JVR |
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APT20GN60SDQ2G
Microsemi Corporation
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1 | APT20GN60SDQ2G | APT20GN60SDQ2G |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M38SVFR
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 200V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3 | APT20M38SVFR |
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APT20M36SFLLG
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 200V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3 | APT20M36SFLLG |
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APT2012QWF/F
Kingbright
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1 | SINGLE COLOR LED, WHITE, 1.3mm, 2 X 1.25 MM, 0.75 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, SMD, 2 PIN | APT2012QWF/F |
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APT20M34BLL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 74A I(D), 200V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT20M34BLL |
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