Showing 25 of 215 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3565BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 11 A, 350 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT3565BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120B2DQ2G
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 96A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GP120B2DQ2G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3555BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3555BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3540AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,14.5A I(D),TO-3 | APT3540AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3525BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 23A, 350V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT3525BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GN120SG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 94A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GN120SG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120BG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 96A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT35GP120BG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3520AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3520AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GA90BD15
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 63A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT35GA90BD15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3580BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT3580BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3555AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3555AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3555BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,12A I(D),TO-247AD | APT3555BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120B2DF2
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 96A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GP120B2DF2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GA90S
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 63A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel | APT35GA90S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3520DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,CHIP / DIE | APT3520DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3580BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 10A, 350V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT3580BN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3525AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 350V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | APT3525AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GT120JU3
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GT120JU3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120B2DQ2
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 96A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GP120B2DQ2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GN120L2DQ2G
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 94A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GN120L2DQ2G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3580GN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3580GN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35M42DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,CHIP / DIE | APT35M42DN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GN120BG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 94A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT35GN120BG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3525BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 23A, 350V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT3525BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3525BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 350V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3525BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||