Showing 25 of 147 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4550BN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 14A, 450V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT4550BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45GP120JDQ2
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT45GP120JDQ2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45GP120B2DQ2G
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 113A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT45GP120B2DQ2G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT451R1BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT451R1BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4511DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4511DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4525BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 23A, 450V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT4525BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4585GN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,7A I(D),TO-257ISO | APT4585GN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45GP120BG
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT45GP120BG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4525AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4525AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4540BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 16 A, 450 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT4540BN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4530DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor | APT4530DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4550CN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 450V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | APT4550CN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45GP120JDF2
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT45GP120JDF2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45GP120B2DQ2G
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 113A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT45GP120B2DQ2G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45M60BFN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET POWER MODULE,HALF BRIDGE,450V V(BR)DSS,78A I(D) | APT45M60BFN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4550BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 14A, 450V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT4550BN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4585DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,CHIP / DIE | APT4585DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4585DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4585DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4530BN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 21A, 450V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT4530BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4530BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 450V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4530BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45GP120B
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT45GP120B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4525BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 450V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4525BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45GP120JDQ2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT45GP120JDQ2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4540DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,CHIP / DIE | APT4540DN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4540CN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 450V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | APT4540CN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||