Showing 25 of 1011 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT50GF100BN
Advanced Power Technology
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | APT50GF100BN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT50GF100BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 50A, 1000V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | APT50GF100BN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT50M65LLL
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 500V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT50M65LLL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT50GS60BRDLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 93A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT50GS60BRDLG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5016SFLL
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5016SFLL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5015BVRG
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 500V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT5015BVRG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5085BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 9.5A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT5085BN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT50DL60BCTG
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 50A, 600V V(RRM), Silicon, TO-247 | APT50DL60BCTG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT50M85JVR
Microchip Technology Inc
|
0 | MOSFET MOS 5 500 V 85 mOhm SOT-227 | APT50M85JVR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT50M85JVFR
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 500V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT50M85JVFR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT50M75LFLL
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 500V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT50M75LFLL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5085BNF
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT5085BNF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5015SVFR
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 500V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5015SVFR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5015BVRG
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 500V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT5015BVRG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT50GT60SRG
Microchip Technology Inc
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT50GT60SRG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5085CN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | APT5085CN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT50M65B2LL
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 500V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT50M65B2LL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT50M80B2VR
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 500V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT50M80B2VR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5010JVRU3
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5010JVRU3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT50GF120JRD
Microchip Technology Inc
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT50GF120JRD |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5017BVFR
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5017BVFR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5020SN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 28A, 500V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D3PAK-3 | APT5020SN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT5040BN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5040BN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT50GP60B2DQ2
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT50GP60B2DQ2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT50GP60B2DQ2G
Advanced Power Technology
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT50GP60B2DQ2G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||