Showing 25 of 200 results
Filter by Manufacturer
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
---|
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT752R4BN-BUTT
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 750V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT752R4BN-BUTT |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT751R4BN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 750V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN | APT751R4BN |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT75M50L
Microsemi Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 500V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN | APT75M50L |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT75GP120B2G
Microchip
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT75GP120B2G |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT75GP120B2G
Microsemi Corporation
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, B2, TMAX-3 | APT75GP120B2G |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT75DL120HJ
Microchip
|
1 | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 75A, 1200V V(RRM), Silicon | APT75DL120HJ |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT7575BN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 750V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT7575BN |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT7575BN
Microsemi Corporation
|
1 | 13A, 750V, 0.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT7575BN |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT75DQ60S
Advanced Power Technology
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75A, 600V V(RRM), Silicon, D3PAK-3 | APT75DQ60S |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT75DQ60SG
Advanced Power Technology
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, D3PAK-3 | APT75DQ60SG |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT7516DN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT7516DN |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT7590BN-BUTT
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 750V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT7590BN-BUTT |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT75DQ100SG
Microsemi Corporation
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, D3PAK-2 | APT75DQ100SG |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT752RBN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT752RBN |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT75DQ100S
Microsemi Corporation
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75A, 1000V V(RRM), Silicon, D3PAK-2 | APT75DQ100S |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT75GN60SG
Microsemi Corporation
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | APT75GN60SG |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT752R4BN-GULLWING
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 750V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN | APT752R4BN-GULLWING |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT751R2DN
Microsemi Corporation
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,750V V(BR)DSS,CHIP / DIE | APT751R2DN |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT752R4BN
Microsemi Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT752R4BN |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT7575BN-GULLWING
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 750V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN | APT7575BN-GULLWING |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT752R4AN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT752R4AN |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT75GN120LG
Advanced Power Technology
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN | APT75GN120LG |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT751R4BN-GULLWING
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 750V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN | APT751R4BN-GULLWING |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT752R8BN-GULLWING
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 750V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN | APT752R8BN-GULLWING |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT7590HN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT7590HN |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||