Showing 25 of 230 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BLF7G10L-250,118
NXP Semiconductors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G10L-250,118 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G22LS-250PB
Ampleon
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 3-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G22LS-250PB |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G24L-160P,112
NXP Semiconductors
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G24L-160P,112 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G15LS-200,118
Ampleon
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G15LS-200,118 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G22LS-250P
Ampleon
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 65V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G22LS-250P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G20L-140P,112
NXP Semiconductors
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G20L-140P,112 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G22LS-100P,112
NXP Semiconductors
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G22LS-100P,112 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G10LS-250,118
Ampleon
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G10LS-250,118 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G22LS-130,112
Ampleon
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G22LS-130,112 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G20L-200,118
NXP Semiconductors
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G20L-200,118 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G10L-250
Ampleon
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G10L-250 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G27LS-100,118
Ampleon
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G27LS-100,118 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G20LS-250P,112
NXP Semiconductors
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G20LS-250P,112 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G27LS-75P,118
Ampleon
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G27LS-75P,118 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G24LS-160P,118
Ampleon
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G24LS-160P,118 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G27L-140
Ampleon
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G27L-140 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G27L-150P,118
Ampleon
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G27L-150P,118 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G27L-135,112
NXP Semiconductors
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G27L-135,112 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G22LS-160
NXP Semiconductors
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G22LS-160 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G22LS-200,118
Ampleon
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G22LS-200,118 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G27L-140,112
Ampleon
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G27L-140,112 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G20LS-200
Ampleon
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G20LS-200 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G10LS-250,118
NXP Semiconductors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G10LS-250,118 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G10L-250
NXP Semiconductors
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G10L-250 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BLF7G24L-100,118
NXP Semiconductors
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G24L-100,118 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||