Showing 25 of 265 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G24LS-150VU
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G24LS-150VU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G22LS-270V,118
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G22LS-270V,118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G38LS-75V
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G38LS-75V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G22LS-200V,112
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G22LS-200V,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G27LS-100P
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G27LS-100P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G09LS-400PWJ
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G09LS-400PWJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G09LS-400PGW
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G09LS-400PGW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G20LS-140GV
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G20LS-140GV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G19LS-170BV
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G19LS-170BV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G20LS-260A
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G20LS-260A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G24LS-150VJ
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G24LS-150VJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G27LS-140
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G27LS-140 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G24LS-100VU
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G24LS-100VU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G27LS-100GV
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G27LS-100GV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G24LS-150VU
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G24LS-150VU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G22LS-240J
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G22LS-240J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G10L-160,118
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G10L-160,118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G22LS-200V,118
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G22LS-200V,118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G24LS-100GVJ
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G24LS-100GVJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G27LS-150GVQ
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G27LS-150GVQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G27LS-140V,118
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G27LS-140V,118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G20LS-220
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G20LS-220 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G10LS-160V
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G10LS-160V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G10LS-270,112
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G10LS-270,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G10LS-270,118
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G10LS-270,118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||