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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ102SE3045A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | BUZ102SE3045A |
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BUZ102SL-4
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 55V, 0.033ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ102SL-4 |
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BUZ100L
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ100L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ102
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 50V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ102 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ101SE3045A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 55V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | BUZ101SE3045A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ103SL-4
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 55V, 0.055ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ103SL-4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ101SLE3045A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | BUZ101SLE3045A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ103SE3045
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | BUZ103SE3045 |
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BUZ101SE3045
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 55V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | BUZ101SE3045 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ101SL
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ101SL |
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BUZ104SL-4
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 55V, 0.125ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ104SL-4 |
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BUZ103
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 50V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ103 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ100
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ103SE3045A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | BUZ103SE3045A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ103SL
Rochester Electronics LLC
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1 | 28A, 55V, 0.044ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | BUZ103SL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ102S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ102S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ104SE3045
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 55V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | BUZ104SE3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ102SL
Rochester Electronics LLC
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1 | 47A, 55V, 0.024ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | BUZ102SL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ103AL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 50V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ103AL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ102AL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 50V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ102AL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ101SL
Rochester Electronics LLC
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1 | 20A, 55V, 0.07ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | BUZ101SL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ100S-4
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 55V, 0.02ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ100S-4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ103SLE3045A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 55V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | BUZ103SLE3045A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10S2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10S2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ102SL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 55V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ102SL |
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