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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC86160
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA | FDMC86160 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC8878-NBSE003
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDMC8878-NBSE003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC86340ET80
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDMC86340ET80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC86340
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 80V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA | FDMC86340 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC8010ET
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 174A I(D), 30V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC8010ET |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC8651
Rochester Electronics LLC
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1 | 15A, 30V, 0.0061ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, MO-240, 8 PIN | FDMC8651 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC86265P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC86265P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC8678S
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA | FDMC8678S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC86259P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 150V, 0.107ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA | FDMC86259P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC8200S
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC8200S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC86116LZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 100V, 0.103ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC86116LZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC8588DC
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 25V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA | FDMC8588DC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC86260ET150
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDMC86260ET150 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC8678S
Rochester Electronics LLC
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1 | 15A, 30V, 0.0052ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-240BA, ROHS COMPLIANT, POWER 33, 8 PIN | FDMC8678S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC8296
Rochester Electronics LLC
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1 | 12A, 30V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, MLP, 8 PIN | FDMC8296 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC8200
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC8200 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC8010
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA | FDMC8010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC86102L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC86102L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC8554
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 20V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC8554 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC8015L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 40V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC8015L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC8676
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MO-240BA | FDMC8676 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC86570L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA | FDMC86570L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC86240
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 150V, 0.051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC86240 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC8878
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.6A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC8878 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC8200S
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC8200S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||