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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS0309AS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA, ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN | FDMS0309AS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS0302S
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 30V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA | FDMS0302S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS002G-C0G
Flexxon Pte Ltd
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1 | Flash Card, 2GX8 | FDMS002G-C0G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS008G-CAF
Flexxon Pte Ltd
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1 | Flash Card, 8GX8 | FDMS008G-CAF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS0300S
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 30V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA | FDMS0300S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS003N08C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 147A I(D), 80V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA | FDMS003N08C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS001G-C0K
Flexxon Pte Ltd
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1 | Flash Card, 1GX8 | FDMS001G-C0K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS0312S
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 30V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA | FDMS0312S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS032GBC-310J
Flexxon Pte Ltd
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0 | Flash Card | FDMS032GBC-310J |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS004G-CAA
Flexxon Pte Ltd
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1 | Flash Card, 4GX8 | FDMS004G-CAA |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMS0306AS
onsemi
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1 | Max rDS(on) = 3.0 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 23 A ; Max rDS(on) = 2.4 mΩ at VGS = 10 V, ID = 26 A ; Advanced Package and Silicon Combination for Low rDS(on) and High Efficiency; 100% UIL Tested; SyncFET Schottky Body Diode ; RoHS Compliant ; MSL1 Robust Package Design | FDMS0306AS |
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