Showing 25 of 127 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R520C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R520C6 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R750E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R750E6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R600CP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R600CP |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R520E6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R520E6XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R360P7SXKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R280CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R280CFD7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R380P6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R380P6XKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R600P7SXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R600P7SXKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R600CPXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R600CPXKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R380C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R380C6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.8A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R280P6XKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R800CEXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R800CEXKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R330P6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IPA60R330P6 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R600E6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R600E6XKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R800CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R800CE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R400CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R400CE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R1K0CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R1K0CE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R280C6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.8A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R280C6XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R250CP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R250CP |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R385CPXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 650V, 0.385ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R385CPXKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R520E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R520E6 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R385CP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 650V, 0.385ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R385CP |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R099P7
Infineon
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1 | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 29W; TO220FP | IPA60R099P7 |
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R080P7XKSA1
Infineon
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1 | MOSFET HIGH POWER_NEW | IPA60R080P7XKSA1 |
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA-6-0-SW-25.0-A-01
Sensata Circuit Breakers
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1 | Magnetic Circuit Breaker, 1 Pole(s), 25A, Panel Mount | IPA-6-0-SW-25.0-A-01 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||