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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6633PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6633PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6614TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.7A I(D), 40V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6614TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6691TR1PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 20V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6691TR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6641TR1PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.0599ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6641TR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6621
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6621 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6618TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6618TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6617PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6617PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6614TR1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.7A I(D), 40V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6614TR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6612TR1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6612TR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6662
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6662 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6633APBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6633APBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6635
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6635 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6626PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6626PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6617
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 30V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6617 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6618PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6618PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6607TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6607TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6613PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 40V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6613PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6620TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 20V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6620TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6618TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6618TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6623PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6623PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6678TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6678TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6610TR1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 20V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6610TR1PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6645TR1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 100V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6645TR1PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6662PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6662PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6611PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 30V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6611PBF |
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