Showing 25 of 181 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF830STRL
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF830STRL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830A
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830LPBF
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830LPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830STRR
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF830STRR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830AL
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF830AL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830SPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF830SPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830-002PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830-002PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830R
New Jersey Semiconductor Products Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF830R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830C
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830STRLPBF
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF830STRLPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830(TO-220)
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
|
1 | Transistor | IRF830(TO-220) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830ASPBF
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF830ASPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830-019
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830-019 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830STRLPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF830STRLPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830R
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830W
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830W |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830-031
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830-031 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830L
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830R
Rochester Electronics LLC
|
1 | 4.5A, 500V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF830R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830-018
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830-018 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830AF
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830AF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830AS
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF830AS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830ASTRL
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF830ASTRL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF830A
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF830A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||