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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9130SCVPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9130SCVPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9220
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.1A, 200V, 1.725ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | IRFE9220 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9120SCV
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9120SCV |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9130
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6.1A, 100V, 0.345ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFE9130 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9130-QR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6.1A, 100V, 0.345ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFE9130-QR-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9230
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.6A, 200V, 0.825ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFE9230 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9110-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.2A, 100V, 1.38ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, LCC-14 | IRFE9110-JQR-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9120E4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.5A, 100V, 0.69ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, LCC4-18 | IRFE9120E4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9130-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFE9130-JQR-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9110
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 100V, 1.38ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-14 | IRFE9110 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9230SCV
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9230SCV |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9230SCX
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9230SCX |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9210
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 200V, 3.45ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | IRFE9210 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9024SCV
Infineon
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0 | IRFE9024SCV |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||