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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC40G-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC40G-011 |
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IRFIBE20G-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE20G-002PBF |
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IRFIBF20G-018PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF20G-018PBF |
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IRFIB41N15DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIB41N15DPBF |
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IRFIBF20G-029
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF20G-029 |
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IRFIBE30G-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE30G-019 |
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IRFIB5N65A
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 650V, 0.93ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIB5N65A |
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IRFIBF20G-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF20G-013PBF |
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IRFIBE20GPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE20GPBF |
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IRFIBC20GPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20GPBF |
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IRFIBF30G-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF30G-013PBF |
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IRFIBE20G-030
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE20G-030 |
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IRFIBE30G-029PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE30G-029PBF |
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IRFIBC20GPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20GPBF |
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IRFIBE20G-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE20G-003PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC40GLC-018
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRFIBC40GLC-018 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBF20G-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF20G-013 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBE20G-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE20G-012 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC30G-024
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC30G-024 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBE20G-018PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE20G-018PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBF30G-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF30G-019 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBE20G-010PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE20G-010PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBE30G-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE30G-006 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC20G-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20G-009 |
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IRFIBF30G-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF30G-005PBF |
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