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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM254-QR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 23A, 250V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3 | IRFM254-QR-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM250PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, | IRFM250PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM224BTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFM224BTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM240
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN | IRFM240 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM220BTF_FP001
onsemi
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0 | IRFM220BTF_FP001 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM220B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.13A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN | IRFM220B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM250D-QR-B
TT Electronics
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0 | IRFM250D-QR-B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM220BTF_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.13A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SOT-223, 4 PIN | IRFM220BTF_FP001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM210BTF_FP001
onsemi
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0 | IRFM210BTF_FP001 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM240UPBF
Infineon
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1 | POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) | IRFM240UPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FHIRFM210A
Fenghua (HK) Electronics Ltd
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1 | Transistor | FHIRFM210A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FHIRFM224A
Fenghua (HK) Electronics Ltd
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1 | Transistor | FHIRFM224A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FHIRFM220A
Fenghua (HK) Electronics Ltd
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1 | Transistor | FHIRFM220A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FHIRFM214A
Fenghua (HK) Electronics Ltd
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1 | Transistor | FHIRFM214A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||