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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP253R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 150V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP253R |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP254N
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, TO-247, 3 PIN | IRFP254N |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP250N
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, TO-247AC, 3 PIN | IRFP250N |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP250
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFP250 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP244A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | IRFP244A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP252
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 200V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | IRFP252 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP252R
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP252R |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP253
FCI Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP253 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP246
Intersil Corporation
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1 | 15A, 275V, 0.28ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | IRFP246 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP245PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 14A, 250V, 0.34ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC | IRFP245PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP240
Intersil Corporation
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1 | 20A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | IRFP240 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP241
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP241 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP242
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP242 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP250
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN | IRFP250 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP251
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP251 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP240R
Rochester Electronics LLC
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1 | 20A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | IRFP240R |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP254
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, TO-247, 3 PIN | IRFP254 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP250
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP250 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP241
Intersil Corporation
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1 | 20A, 150V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | IRFP241 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP250R
Intersil Corporation
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1 | 33A, 200V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | IRFP250R |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP264
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 250V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP264 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP242R
Rochester Electronics LLC
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1 | 18A, 200V, 0.22ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | IRFP242R |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP242
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | IRFP242 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP254PBF
Vishay
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1 | N-channel MOSFET,IRFP254 23A 250V | IRFP254PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP244
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | IRFP244 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||